2014 年度研究成果報告書

遷移金属ホウ化物、炭化物のＭＢＥ成長

研究課題

研究課題/領域番号	24560035
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	薄膜・表面界面物性
研究機関	独立行政法人物質・材料研究機構
研究代表者	相澤俊独立行政法人物質・材料研究機構, 表界面構造・物性ユニット, 主席研究員 (00354431)
研究分担者	末原茂物質・材料研究機構, 主幹研究員 (00354374)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード	遷移金属炭化物 / 遷移金属ホウ化物 / 分子線エピタキシ / シリセン
研究成果の概要	遷移金属炭化物、ホウ化物の代表としてZrCの分子線エピタキシーを調べた。ZrC(111)上には予想されるより著しく低い温度(400℃)で層状成長することが分かった。酸化物基板、Si基板ではエピタキシーするが層状成長しなかった。酸化物基板の場合温度を上げると下地の酸化物と反応してしまう。Si基板の場合はSiが成長表面に拡散してきてZrCの層状成長を阻害することが分かった。
自由記述の分野	表面物理実験