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クラックを含む高温超伝導(HTS)薄膜中を流れる遮蔽電流密度の支配方程式を導いた．また，解の一意性を保証するために，付加的な境界条件も導出した．さらに，支配方程式の初期値・境界値問題を解く数値解法を提案した．
提案法を用いて，走査型永久磁石法(SPM)のHTS薄膜中クラック同定への適用可能性を調べた．この目的のため，欠陥パラメタを導入し，様々な走査線に沿って欠陥パラメタを計算した．その結果，2つの反対方向に薄膜をスキャンすることによって，クラック位置を大雑把に同定できることが判明した．この意味から，高速・高精度なクラック同定法を開発するためには，SPMを誘導法と組み合わせるべきである．
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