研究課題
基盤研究(C)
3次元LSIのSi貫通ビア配線において、高密度なSiNx膜を低温で作製することが切望されている。その解決策として、我々は反応性スパッタにより基板加熱なしで高密度なSiNx膜を得ることができた。この膜は、700℃までCuの拡散を抑制できたことから、低温成膜された高密度なSiNx膜は。有用な絶縁バリヤとなり得ることが明らかとなった。また、スパッタとPECVD法にてSiNx膜を準備し、その特性の詳細を検討することにより、PECVD-SiNx膜の低密度化の要因を明らかにした。
工学
