グラフェン膜の介在による電極特性の制御とその２次元評価

2014 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 24560369
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 福井大学
• 研究代表者: 塩島 謙次 福井大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (70432151)
• 研究分担者: 橋本 明弘 福井大学, 大学院工学研究科, 教授 (10251985)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2015-03-31
• キーワード: 窒化ガリウム / グラフェン / ショットキー電極 / ２次元評価

研究成果の概要

表面構造が安定しているグラフェン層を金属／半導体界面に挿入し電気的特性を制御することを本研究の目的としている。グラフェン層を大面積で均一に半導体表面に堆積することが困難なため、電極面内の２次元評価法として顕微光応答法を新たに立ち上げた。Ni/n-GaN構造ではグラフェン層が介在している部分ではショットキー障壁高さが低くなることが明らかになった。本電極構造を用いると、低抵抗なオーミック電極がn形GaNに対して形成される可能性が示唆される。

自由記述の分野

金属/半導体界面の評価