高周波グロー放電によるプラズマ窒化がSiC表面に窒化層を形成する手段として有効であることを示した。とりわけ,窒素に少量の水素を添加することで窒素ラジカルが活性化され,相対的に酸化物相の少ない窒化層を実現できた。また,この直接窒化層を界面制御層として用いることによりSiO2/窒化層/SiC MIS構造の界面特性を向上させることができた。さらに,様々な条件で熱処理を試みた結果,水素雰囲気化の熱処理により界面特性を改善できることを見いだした。 これらの成果は単にMISFETのゲート絶縁膜としての応用だけでなく,SiC素子に対して安定で界面欠陥の少ない表面保護層を実現するための基礎技術として有効である
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