2014 年度研究成果報告書

強磁性ハーフメタル／ダイヤモンド半導体ヘテロ接合を用いた新規スピンデバイスの開発

研究課題

研究課題/領域番号	24560372
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	名古屋大学
研究代表者	植田研二名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (10393737)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード	スピントロニクス / 半導体 / ダイヤモンド / ハーフメタル / ホイスラー
研究成果の概要	本研究ではスピントランジスタの実現の為の最重要課題である強磁性体から半導体への高効率スピン注入に関して、長スピン拡散長等の優れた特徴を持つダイヤモンド半導体と強磁性ハーフメタルCo2MnSi(CMS)を組合せて達成する試みを行った。研究成果として、高効率スピン注入に必須となる急峻なハーフメタルCMS/ダイヤモンド半導体界面が～300℃でのCMSの低温成長により得られる事を明らかにし、CMS/高濃度不純物ドープダイヤモンド接合を用いた３端子ハンル測定によりスピン注入由来と思われる信号を得た。スピン緩和時間は～7nsと見積もられたが、高不純物ドープ半導体を用いている事を考慮すると大きな値である。
自由記述の分野	電子材料