| 研究実績の概要 |
今年度はEuSやEuS1-xTexの積層膜の成長と磁化測定、ならびにデバイス化による磁気輸送特性の評価を行った。各EuS層の成長温度を変えたEuS/GeTe/EuS、Eu(S,Te)との積層であるEuS/GeTe/Eu(S,Te)、反強磁性である片方の層を反強磁性であるMnTeと積層したEuS/GeTe/EuS/MnTeの成長を行った。基板としてはInPに加え、BaF2(111)を用いた。EuS成長後のRHEEDは両層ともにスポットであったが、両者に差はみられず。また、最上層のGeTe成長後はストリークパターンを示した。しかしながら、磁化の平行状態を現す2段のヒステリシスはみられなかった。そこで、格子定数が近く強磁性半導体である(Ge, Mn)Teを用い、EuS/GeTe/EuS/(Ge, Mn)Te積層膜の成長を行ったところ、明瞭な反平衡状態の実現はできなかったが、磁化反転において、それぞれの磁気異方性を反映したと考えられるなだらかな成分と急峻な成分がみられた。これらの積層膜に加え、GeTe/EuS/GeTe構造をデバイス化し、輸送特性を評価した。二重構造においては、スピンフィルタ効果を得ることはできなかったが、GeTe/EuS(膜厚3 nm)/GeTe構造においてはスピンフィルタ効果に特有な非線形I-V特性とトンネル抵抗の温度依存性を示した。2 nmと薄いEuS層を用いることでInP (100)基板上にEuS(100)/GeTe(100)のエピタキシャル成長ができることから、ホール注入源として期待できることがわかった。
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