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単層カーボンナノチューブ（SWNTs）のCVD成長中、自由電子レーザ（FEL）を照射し、その光共鳴エネルギーに対応する所望のカイラルを持つSWNTsの成長を選択的に「その場成長」できるプロセス開発を行った。FEL未照射時、SWNTsはr面サファイア [-111]方向に揃って成長した。800nmのFEL照射の場合、ラマンスペクトル解析により、えられたSWNTs直径は約1.1nmであり、半導体相のみが成長することが確認された。さらに、サファイア基板のステップテラスに対して垂直方向に、それぞれ単独のSWNTとして優先的に成長することが観測され、今後のナノデバイスプロセスへの応用展望が拓けた。
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