研究課題
基盤研究(C)
低コスト・高性能の緑色半導体レーザを実現するためには、素子の構造設計が重要である。本研究では、構造設計の理論計算を行う際に用いる材料パラメータ（変形ポテンシャルなど）の信頼性について理論・実験両面から研究した。その結果、偏光PL測定の実験結果を基に求められている現在の材料パラメータは信頼できず、偏光PLE測定を用いて決定しなければならないことがわかった。これは、ポテンシャル揺らぎが大きいInGaN系独特の効果が原因となっている。
半導体 光物性
