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2014 年度 研究成果報告書

原子層組成変調型積層欠陥フリーCoPt基スパッタ膜の柱状グラニュラ組織の実現

研究課題

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研究課題/領域番号 24560387
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関一関工業高等専門学校

研究代表者

佐々木 晋五  一関工業高等専門学校, 准教授 (80225870)

研究分担者 齊藤 伸  東北大学, 大学院工学研究科, 准教授 (50344700)
研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード磁性材料 / 薄膜材料 / グラニュラ構造 / 薄膜作製プロセス / スパッタリング
研究成果の概要

CoPt-酸化物グラニュラ膜の高一軸結晶磁気異方性エネルギー(Ku)化のため、積層欠陥の排除と原子層組成変調構造を導入したCoPt-酸化物グラニュラ膜の検討を行った。CoPt合金の高Ku化については、CoPt合金のPtの一部をRhに置換することや原子層組成変調構造を導入したCo80Pt20合金によって、Kuは最大約10倍に増大した。CoPt-酸化物グラニュラ膜の作製プロセス技術については、プロセス中の不純物ガス(H2Oなど)、成膜ガス圧と膜組成の関係を明らかにした。さらには、酸素組成をO/Si=2に調整可能な新しいタイプのスパッタリング・ターゲットの開発も行った。

自由記述の分野

工学

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公開日: 2016-06-03  

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