| 研究課題/領域番号 |
24560388
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 公益財団法人電磁材料研究所 |
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研究代表者 |
大沼 繁弘 公益財団法人電磁材料研究所, その他部局等, 研究員 (50142633)
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| 研究分担者 |
増本 博 東北大学, 学際科学フロンティア研究所, 教授 (50209459)
直江 正幸 公益財団法人電磁材料研究所, 主任研究員 (50533725)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | ナノグラニュラー軟磁性膜 / フッ化物 / 比抵抗 / 一軸異方性 / 異方性磁界 / 複素透磁率 / 強磁性共鳴 / 高周波磁気応用 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は，高周波ナノグラニュラー軟磁性膜の高抵抗化に関するものである．新しい試みとして，CoPd基磁性合金をナノグラニュール，フッ化物をマトリックスとした面内一軸異方性膜をタンデムスパッタ法で作製した．フッ化カルシウムをマトリックスとした膜は，従来膜の100倍以上の高い比抵抗を示し，これはフッ化カルシウム良好な結晶性に因ることを明らかにした．さらには，二倍以上の異方性磁界によって1.4倍以上の高い強磁性共鳴周波数を示す膜も得られた．この解明のため，ナノ組織の構造解析を行った結果，結晶配向など，一般的なナノ磁性体の軟磁性発現理論に反する結果を得て，異方性発現メカニズムに関する重要な知見を得た．
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| 自由記述の分野 |
ナノグラニュラー膜
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