研究課題/領域番号 |
24560390
|
研究種目 |
基盤研究(C)
|
配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
|
研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
前田 辰郎 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (40357984)
|
研究分担者 |
安田 哲二 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究部門長 (90220152)
|
連携研究者 |
田中 正俊 国立大学法人横浜国立大学, 工学研究院, 教授 (90130400)
|
研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
|
キーワード | 高移動度チャネル / ゲルマニウム / ゲートスタック / 窒化物 |
研究成果の概要 |
単一金属Hfターゲットを用いた反応性DCマグネトロンスパッタリング法にて、Ar/N2流量比のみの変化で、金属性HfN(抵抗率349uΩcm)/絶縁性HfNx(Eg=2.9eV)/Ge-MIS構造を作製した。さらに、絶縁性HfNxは、比誘電率が20以上のHigh-k材料であり、Geと良好な界面(界面準位密度Dit= 4E12cm-2eV-1)を形成することを明らかにした。また、製作したGe-MIS構造は、酸素の混入が無く、500℃まで熱的に安定であることがわかった。その結果、窒素組成比の制御のみで、シンプルに、耐熱性の高い全窒化膜Ge-MIS構造を製作できることがわかった。
|
自由記述の分野 |
半導体
|