2014 年度研究成果報告書

ＧａＮ系ＨＥＭＴにおける電子速度の詳細評価の研究

研究課題

研究課題/領域番号	24560392
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	東北大学
研究代表者	末光哲也東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (90447186)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード	窒化物半導体 / 電界効果トランジスタ / マイクロ波・ミリ波
研究成果の概要	窒化ガリウム（GaN）系高電子移動度トランジスタ（HEMT）において、そのミリ波・サブミリ波素子としてのポテンシャルを予測する上で貴重な情報である、ドレイン端における電子速度を評価した。異なる形状のゲート・フィールドプレート電極を持つゲート長180nmのHEMTについてゲート電極直下の電子走行時間を求め、ドレイン側への空乏領域の広がり分の補正を確認すると共に、電子速度を 1.21～1.27×10^7 cm/s と評価した。
自由記述の分野	電子デバイス工学