研究課題
基盤研究(C)
窒化ガリウム(GaN)系高電子移動度トランジスタ(HEMT)において、そのミリ波・サブミリ波素子としてのポテンシャルを予測する上で貴重な情報である、ドレイン端における電子速度を評価した。異なる形状のゲート・フィールドプレート電極を持つゲート長180nmのHEMTについてゲート電極直下の電子走行時間を求め、ドレイン側への空乏領域の広がり分の補正を確認すると共に、電子速度を 1.21~1.27×10^7 cm/s と評価した。
電子デバイス工学