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本研究目的は，次世代CMOSとして注目されているSOIデバイスに光検出器を同一基板上に実装することである．SOI光検出器の感度を大幅に向上させる技術を開拓するため，本研究では，受光面上に金ナノ粒子を付着した新しいSOI-PINフォトダイオードを開発した．金ナノ粒子付SOI-PINフォトダイオードをモデル化し，SOI内部の光吸収効率を計算することにより，金ナノ粒子の粒径と付着密度を最適化した．さらに感度向上メカニズムを明らかにした．期間中に，金ナノ粒子付きSOIフォトダイオードを開発し，感度特性を計測した．金ナノ粒子の付着により，可視光領域において約2倍の感度向上を実証した．
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