2014 年度研究成果報告書

素子ばらつき・経年劣化に影響を受けず動作可能な完全デジタルＳＲＡＭ回路の研究

研究課題

研究課題/領域番号	24560408
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	九州工業大学
研究代表者	中村和之九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 教授 (60336097)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード	CMOS / SRAM / LSI / 素子ばらつき / 経年劣化 / マージン / レシオレス / 低電圧
研究成果の概要	素子ばらつき、経年劣化等の影響を受けない、完全ディジタル動作の新規オンチップメモリ（レシオレスSRAM）の研究開発を行った。意図的に設計パラメータをばらつかせたモザイクセル構成のテスト回路、MOSFETのしきい値電圧を意図的にばらつかせることが可能な可変Vth－TEG、さらには従来SRAMと低電源電圧特性を直接比較可能なテストSRAMを試作し、それらの実測結果により、従来の６トランジスタ構成のSRAMに対して、レシオレスSRAM回路の素子ばらつきに対する高い耐性（ドレイン電流ばらつき２桁、しきい値電圧ばらつき３倍）、非常に低い電源電圧(0.22V)での動作を確認し、その有用性を実証した。
自由記述の分野	工学