ニューロンＭＯＳＦＥＴを用いた高速かつ低消費電力ＡＤ変換回路

2014 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 24560416
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東海大学
• 研究代表者: 藤本 邦昭 東海大学, 基盤工学部, 教授 (60229044)
• 連携研究者: 矢原 充俊 東海大学, 福岡短期大学, 教授 (30259692)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2015-03-31
• キーワード: AD変換器 / ニューロンMOSFET / 集積回路

研究成果の概要

本研究では、まずＡＤ変換器の電圧レベル判定素子に適したニューロンＣＭＯＳインバータの回路構成について検討した。その結果、ニューロンＣＭＯＳインバータに初期電荷キャンセル回路を付加する必要があることが分かった。次に、ニューロンＣＭＯＳインバータを基本構成部品とした４種類のＡＤ変換回路構成し、所期の動作が得られることをシミュレーションおよび実チップを用いた実験により明らかにした。

自由記述の分野

電子電子工学