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数nm以下の超微細CMOS構造として有望なSi膜厚T0.5nmの二次元Si（2D-Si）を形成することに成功し，その量子的閉じ込め効果による物性変調を実験的に実証した．フォノンの閉じ込め効果による低波数側のRamanスペクトルを確認できた．更にTの減少とともに，より低波数側のRamanスペクトルが観測できることも実証した．また，PL法により，2D-Siのバンド構造の変調効果，即ち禁制帯幅Eの増大効果を実証した．EはTの減少とともに急激に増大し，3D-SiのEの1.1eVより約0.6eVも増加することを実証した．更に，不純物によるEナローイング効果が，3D-Siより低下することも明らかにした．
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