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光の超高速性、超並列性を生かした新しい光情報処理素子(空間光変調器）の研究・開発を目的に、超高純度砒化ガリウム(GaAs)を液相エピタキシャル成長により作製し、空乏層厚30μm以上、室温励起子吸収の観測、その電界印加による量子閉じ込めシュタルク効果類似の大幅な長波長側シフトを観測し、層に垂直な光入射構成で大きな消光比(>20dB)を低電圧(<10V)で実現でき、推定応答速度サブnsecを求め、既報告の1000V, 数msecを大幅に超える素子特性を得、液晶に替わる次世代の空間光変調器を実現した。
また、大きな吸収係数変化よりクラマース・クローニッヒの関係から大きな電界屈折率変化を推定した。
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