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結合光導波路を備えたリッジ型半導体レーザーにおいて結合光導波路の材質を半導体から誘電体に変更することで結合光導波路へのリーク電流を低減した。さらに結合光導波路とメサとの距離をゼロにしたリッジ型半導体レーザーを提案した。この結果、単峰出射ビーム、高光出力を維持した状態で通常のリッジ型半導体レーザーよりも発振しきい電流を低減できた。
横方向回折格子をもつリッジ型半導体レーザーを提案し、さらに横方向回折格子の上部を絶縁体にすることで、横方向回折格子へのリーク電流を低減した。この結果、単峰出射ビーム、高光出力を維持した状態で通常のリッジ型半導体レーザーよりも発振しきい電流を低減することができた。
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