研究課題
基盤研究(C)
Siは半導体デバイスに広く用いられている。しかし、最近、長時間、応力下で使用すると、これまでの経験では説明ができない現象が観察されている。すなわち、①疲労の発現、②100℃近傍での破壊靭性値の向上などである。これらの現象には、機械的性質を担う転位が関与しているはずである。そこで、①100～400℃の中温度におけるジグザグ状のshuffle-set転位の本性を明らかした。②このようなshuffle-set 転位の変態が破壊靭性値の向上にどのように関連しているかを明らかにした。
材料物理学
