NiFe2O4ファイバー、バルク体、薄膜など、比表面積の大きな試料の作製法と、有機物吸脱着による電気抵抗率と磁化変化について研究を行った。NiFe2O4結晶質ファイバー、バルク体、薄膜の作製条件を明らかにした。NiFe2O4多孔質バルク体において、電気抵抗率温度依存性を1桁以上変化させる酢酸ブチル量は1200μl以上であることが分かった。また、NiFe2O4多孔質薄膜において、ギ酸が最大の18.4%の磁化変化を示すことが判明した。これらの電気抵抗率および磁化変化は、NiFe2O4粒子表面に吸着した極性分子による電界効果によってキャリアとスピンの量や向きが変化したことにより引き起こされたと考えられた。
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