研究課題
基盤研究(C)
ゼオライト触媒の長寿命化をめざし、成膜前駆体をゼオライトの細孔内へ侵入させて、成膜することの可能な侵入型減圧熱CVDプロセスの開発を目標とし、2012年から3年間で、CVD時に真空度を連続的に変化させることのできるCVD装置を作製するとともに、その装置による基礎的な成膜実験を行った。1700Pa以下、1000K程度の条件で良質な膜が得られた。今後メカニズム解明とプロセスの最適化が必要である。
化学工学