| 研究成果の概要 |
ショートドロップチューブ法を用いて、Siの過冷度と結晶成長の関係及び化合物半導体の単結晶生成について解析した。Siに3dTM(Fe,Ni,Co,Mn)とRE(Nd,Gd)元素を0～10％添加した微粒子を作製し微細構造を解析した。その結果、3dTMとREを微量添加することにより、高過冷状態で無容器凝固する、純Siとな全く異なる微細構造が観察された。さらに、微粒子表面と粒界部にシリサイドを生成することが示された。また、InSbとGaSb２元及びFe添加３元単結晶微粒子生成及び連続的にバンドギャップ制御を可能とする(InGa)Sb３元混晶半導体微粒子生成に対する本プロセスの有効性が明確化された。
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