研究課題
基盤研究(C)
微細加工材料である極薄膜レジスト中のイオン化により生じる電荷のダイナミクスならびに放射線化学反応について研究を行った。極端紫外光(EUV)自由電子レーザー(FEL)の照射およびシミュレーションにより、エネルギー付与密度がレジスト中の酸生成に与える影響を明らかにした。電子線パルスラジオリシスにより固体中レジスト中での反応ダイナミクスを調べ、さらにEUV吸収効率の高いフッ素系レジストにおける酸収量低下の要因を示した。
放射線化学