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イオンビームグラフト重合法において，基板フィルムを高フルエンスで照射することで，グラフト重合されない領域が形成されることがわかった．本学加速器のマイクロイオンビームラインに照射チェンバーを設置し，百マイクロメートルの太さの線領域にグラフト鎖を導入することができた．グラフト鎖部分に水を添加してゲル状態とした試料，およびポリカーボネートを銅イオンビームで照射した試料共に導電性を確認した．さらに導電性高分子材料のグラフト重合を試みた．以上のことから，機能を持ったグラフト鎖を基板高分子シート内部の任意の場所に3次元的に導入することが可能なことがわかった．
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