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本研究では、数100MeV級高エネルギーイオンマイクロビームの強度分布を測定するビームモニタの開発を目的とした。具体的には、薄いシンチレータを直付けした撮像素子によってビーム強度を測定した。シンチレータとして透明度と輝度が高くイオンビーム照射によるダメージが比較的少ないフッ化カルシウムを選択した。また、撮像素子としてCCDやCMOSを使用した。260MeVネオンビームの照射実験の結果、CCDの場合、数カウント/秒のビームの照射位置を7μm以下の空間分解能で取得できた。 また、CMOSの場合、数100カウント/秒のビーム強度を検出可能であった。
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