研究課題
基盤研究(C)
中性子斜入射小角散乱法の実験手法としての確立のために、入射中性子強度を稼ぐための中性子集光ミラーの開発及び斜入射小角散乱データ解析のためのシミュレーションコードの開発を行った。その結果、集光ミラーの高反射率化とともに特に後者に関して、歪曲波ボルン近似に基づいて計算されたシミュレーションの結果と測定データとの比較により、多層膜の面内磁気構造、即ちスピンの揃う領域のサイズが面内磁気散乱相関長として評価され、上記散乱法の有効性が示された。
中性子光学