研究課題
挑戦的萌芽研究
非晶質の窒化シリコン薄膜(厚さ20nm)に120keVないし5MeVのC60イオンを照射して、透過電子顕微鏡で観察したところ、照射痕であるイオントラックが明瞭に観測された。半定量的な評価のために、高角度暗視野透過型走査電子顕微鏡観察を行ったところ、トラック内部は約30%程度密度が低下していることが分かった。さらに、540 keVのC60イオン照射によるスパッタリング収量を高分解能ラザフォード後方散乱法により測定したところ、C60イオン1個につき5400個もの原子がスパッタされていることが分かった。これらの結果は、照射条件を最適化することによりナノ細孔を薄膜に直接形成できる可能性を示している。
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