| 研究課題/領域番号 |
24651132
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 横浜国立大学 |
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研究代表者 |
田中 正俊 横浜国立大学, 工学研究院, 教授 (90130400)
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| 研究分担者 |
大野 真也 横浜国立大学, 工学研究院, 特別研究教員 (00377095)
関谷 隆夫 横浜国立大学, 工学研究院, 教授 (60211322)
島津 佳弘 横浜国立大学, 工学研究院, 准教授 (70235612)
鈴木 隆則 防衛大学校, 応用物理学科, 教授 (60124369)
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| 研究協力者 |
兼村 瑠威 横浜国立大学, 工学府, 博士課程前期学生
大河原 悟 横浜国立大学, 工学府, 博士課程前期学生
小川 大輔 横浜国立大学, 工学府, 博士課程前期学生
村田 浩太郎 横浜国立大学, 工学府, 博士課程前期学生
二之宮 成樹 横浜国立大学, 工学府, 博士課程前期学生
森下 亮 横浜国立大学, 工学府, 博士課程前期学生
長田 一紀 横浜国立大学, 工学府, 博士課程前期学生
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| キーワード | ナノ材料 / 層状物質 / 半導体物性 / 光物性 / 電子・電気材料 |
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| 研究概要 |
単層から数層の層状半導体について分光学的測定を行い，層数毎に格子振動や電子物性に関する知見が得られた．これにより層間相互作用と誘電的相互作用の競合関係，ならびに層間相互作用が電子状態に与える影響が明らかとなり，ナノエレクトロニクスに直結した新しい基礎研究領域の発展に貢献した．
単層のMoS2については電界効果トランジスタの作成に成功し，バックゲート型としては世界最高レベルの移動度を達成した．引き続きこれらの研究を続ければ，グラフェンを凌ぐ層状半導体デバイス材料を見出せる可能性がある．
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