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コロイド状シリコン（Si）ナノ結晶は、塗布法による大面積半導体薄膜の低コスト形成や蛍光バイオイメージング等の様々な分野への応用が期待されている。本研究では、ホウ素（B）とリン（P）を同時ドーピングするという原理的に全く新しい方法で、表面修飾無しで高い極性溶媒分散性を有するSiナノ結晶を開発する。本研究により、極性溶媒分散性（特に水分散性）同時ドープSiナノ結晶の作製方法確立、表面構造の解析と極性溶媒分散性のメカニズムの解明、広範囲(1-14 nm)にわたるサイズ制御と発光エネルギー制御、ゲルマニウム（Ge）との混晶化による吸収断面積の向上、塗布による高品質Siナノ結晶薄膜の作製等の成果を得た。
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