スピン注入磁化反転素子などのナノスケールな系における短時間の状態変化,すなわち,非平衡状態における状態のダイナミクスの解明を目的として,状態の時間発展を数値計算する手法の開発を行った.連続体模型においては,量子輸送理論を用い,電子ガス模型の状態密度と確率分布関数を自己無撞着に数値計算する計算機プログラムを開発した.格子模型においては,行列積状態の変分波動関数の方法を用いて,ハバード模型に従い状態が時間変化する系の数値計算を行った.常磁性状態と強磁性状態を接続した系において,電子間相互作用がスピン流の抵抗となることを示した.
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