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P3HT薄膜をホストに、アクセプターであるF4-TCNQをp型ドーパントに用い、さらにAging処理によって高い熱電性能（power factor: 0.03mW/mK2）を得ることに成功した。ドープ膜のXRD解析の結果、ドーピング後においても薄膜の高い結晶性が保持されており、このことが高い熱電性能の発現に繋がっていることが分かった。さらに、PCMBへN-DMBIをn型ドーピングした薄膜を熱電変換素子へ応用し、塗布によるn型熱電変換素子を作製及び熱電特性の評価を行った。また、塗布型p-nプロトタイプ熱電モジュールを作製し、p-n対の増加に伴い、起電力及び抵抗が線形に上昇することを確認した。
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