研究課題
挑戦的萌芽研究
ドナードーパント(炭酸セシウム)とアクセプタードーパント(酸化モリブデン)を用いて、フラーレン単独膜にpnホモ接合を形成することに成功した。i層へのクロスドーピングによるpin接合の形成にも成功した。i層のエネルギー構造をドナーとアクセプターの比率で精密に制御することにも成功した。フラーレン: チオフェン共蒸着膜に対して本技術を応用し、pin接合シングルセルにおいて効率1.6%、pin接合タンデムセルにおいて効率2.4%を得た。以上のように、クロスドーピング法の有効性を確認することができた。
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Appl. Phys. Express
巻: 6(1) ページ: 012301
Org. Electron
巻: 14 ページ: 1793-1796
https://www.ims.ac.jp/research/prof/hiramoto.html
http://groups.ims.ac.jp/organization/hiramoto_g/