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省エネルギー社会のキーマテリアルであるInGaN窒化物三元混晶の新しい気相成長方法を用いて、現在成長が不可能なIn_xGa_1-_xNの(1)高品質結晶の成長、(2)高速・厚膜成長および(3)全組成領域の成長を実現する。
In_xGa_1-_xN混晶は、組成(x)を制御することによりバンド端エネルギーを紫外領域(365nm)から赤外領域(1900nm)まで変化が可能な大きな潜在能力を持つことから、高効率LEDやLDの発光材料さらに太陽光の全範囲の吸収が可能な高変換太陽電池材料として注目されている。しかし、この材料はIn組成20%以上の結晶成長が非常に難しく、そのため高品質InGaNの成長に成功した例は世界的に無い。本研究の新しい成長方法によりInGaNの成長が可能なことを見出した。
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