2013 年度研究成果報告書

ヒドラジンスラスタ技術を転用した窒化物半導体成長のための化学気相成長技術

研究課題

研究課題/領域番号	24656032
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	補助金
研究分野	薄膜・表面界面物性
研究機関	長岡技術科学大学
研究代表者	安井寛治長岡技術科学大学, 工学部, 教授 (70126481)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2014-03-31
キーワード	薄膜 / 触媒反応 / 窒化物半導体
研究概要	Ruナノドットを担持したZrO2粒子及び、多孔性Ir繊維上に担持したRuナノ粒子複合触媒上でのヒドラジンの自己発熱反応により高温の窒素系プリカーサを生成すること。窒素系プリカーサとGa原料(TMGa)ガスとの反応により形成した高エネルギーGaNプリカーサを用いることで窒化物半導体薄膜の低温成長を実現することを目的に研究を行った。結果、Ruナノドットを担持したZrO2触媒へのヒドラジンのパルス供給により高エネルギー窒素系プリカーサの生成に成功し、600℃の低温でサファイア基板上にc軸配向したGaN膜の成長に成功した。ただIr繊維上へのRuナノ粒子の担持は成功せず複合触媒の作製は実現出来なかった。