垂直配向カーボンナノチューブ(VA-CNT)成長のための金属触媒ナノ粒子の個数密度と直径を独立に制御することは従来困難であった。本研究では両親媒性によらない単分子膜作製と触媒金属ナノ粒子の新規配列制御を行なった。金属ナノ粒子触媒の熱凝集を防ぐために飽和脂肪酸フィラー分子を混合した単分子膜をLangmuir-Blodgett(LB)法により水面上に展開しSiO2/Si基板上に累積した。VA-CNTは熱化学気相法で作製した。LB法により金属触媒ナノ粒子の配列制御を行い、水素還元の条件などを最適化することで垂直配向カーボンナノチューブの本数密度と直径を独立に制御できることを示した。
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