DNAオリガミ技術によるナノスケールデバイス・回路の作製

2012 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 24656201
• 研究種目: 挑戦的萌芽研究
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 小田 俊理 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 教授 (50126314)
• 研究分担者: 小寺 哲夫 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス, 助教 (00466856)
• 研究期間 (年度): 2012
• キーワード: 薄膜 / 量子構造

研究概要

DNA技術を利用したボトムアップ技術は、自己組織的に極微細構造を形成できるばかりでなく、電極や配線も含めた回路機能をナノスケールで形成できる可能性がある。シリコン基板上にDNAオリガミを形成し、基板表面の状態がDNAパターン形成に重要な影響を与えること、UVオゾン処理が有効であることを明らかにした。また、2重結合量子ドットと単電子トランジスタを集積化したナノデバイスの電極配置と評価法について検討を行った。

研究成果

• [雑誌論文] Dual Function of Single Electron Transistor Coupled with Double Quantum Dot: Gating and Charge Sensing (2013)
  • 著者名/発表者名: T.Kambara,T.Kodera,Y.Arakawa and Shunri Oda
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol.52 ページ: 04CJ01(4pages)
  • DOI: DOI:10.7567/JJAP.52.04CJ01
  • 査読あり
• [雑誌論文] Key capacitiveparameters for designing single-electron transistor chargesensors (2012)
  • 著者名/発表者名: K.Horibe,T.Kodera,T.Kambara,K.Uchida, and S.Oda
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics ページ: 111
  • DOI: DOI:10.1063/1.4711094
  • 査読あり
• [学会発表] チャージセンサによるシリコン2重結合量子ドットの少数電子状態観測 (2013)
  • 著者名/発表者名: 堀部浩介,小寺哲夫,蒲原知宏,河野行雄,小田俊理
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木市
  • 年月日: 2013-03-29
• [学会発表] 三角形状に配置したシリコン三重量子ドットの電子輸送特性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 溝口来成,小寺哲夫,堀部浩介,河野 行雄,小田俊理
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木市
  • 年月日: 2013-03-29
• [学会発表] 微小磁性体電極集積によるシリコン2重結合量子ドットへの2軸磁場印加 (2013)
  • 著者名/発表者名: 蒲原知宏,小寺哲夫,河野行雄,小田俊理
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木市
  • 年月日: 2013-03-27
• [学会発表] Micro magnets on lithographically-defined Si double quantum dots for electron spin resonance (2013)
  • 著者名/発表者名: Tomohiro Kambara, Tetsuo Kodera, Yukio Kawano, Yasuhiko Arakawa and Shunri Oda
  • 学会等名: IEEE EDS WIMNACT-37
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2013-02-18
• [学会発表] Two-electronsilicon double quantum dots fabricated for spin-based qubitapplication (2013)
  • 著者名/発表者名: K.Horibe,T.Kodera,T.Kambara,Y.Kawano and S.Oda
  • 学会等名: IEEE EDS WIMNACT-37
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2013-02-18
• [学会発表] Observation of electron transitions in triple quantum dot by using charge sensor (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Mizokuchi, T. Kodera, K. Horibe, Y. Kawano, Y. Arakawa and S. Oda
  • 学会等名: IEEE EDS WIMNACT-37
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2013-02-18
• [学会発表] charge sensing of a Si triple quantum dot system using single electron transistors (2013)
  • 著者名/発表者名: Ko Yamada, Tetsuo Kodera, Tomohiro Kambara, Yukio Kawano and Shunri Oda
  • 学会等名: IEEE EDS WIMNACT-37
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2013-02-18
• [学会発表] Demonstration oflarge charging energy in quantum dots fabricated on ultrathin SOI (2013)
  • 著者名/発表者名: Satoshi Ihara, Tetsuo Kodera, KosukeHoribe, Yukio Kawano, Ken Uchida and Shunri Oda
  • 学会等名: IEEE EDS WIMNACT-37
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2013-02-18
• [学会発表] Lithographically-defined silicon few-electron quantum dots fabricated on a silicon-on-insulator substrate (2013)
  • 著者名/発表者名: K.Horibe,T.Kodera,T.Kambara,Y.Kawano,K.Uchida,S.Oda
  • 学会等名: International Workshop on silicon Quantum Electronics
  • 発表場所: Villard-de-Lans(フランス)
  • 年月日: 2013-02-08
• [学会発表] Multifunctionallithographically-defined Si quantum dots for spin qubits (2013)
  • 著者名/発表者名: T.Kambara,T.Kodera,S.Oda
  • 学会等名: InternationalWorkshop on silicon Quantum Electronics
  • 発表場所: Villard-de-Lans(フランス)
  • 年月日: 2013-02-08
• [学会発表] Dual Function of Charge Sensor: Charge Sensing and Gating (2012)
  • 著者名/発表者名: Kambara Tomohiro, Kodera Tetsuo, Oda Shunri
  • 学会等名: Solid State Devices and Materials Conference
  • 発表場所: Kyoto
  • 年月日: 2012-09-26
• [学会発表] ホール輸送によるp型量子ドットの作製と特性評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 山田宏,小寺哲夫,蒲原知宏,河野行雄,小田俊理
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-14
• [学会発表] 単電子トランジスタによるSi三重量子ドットのチャージセンシング (2012)
  • 著者名/発表者名: 溝口来成,小寺哲夫,堀部浩介,河野行雄,小田俊理
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-14
• [学会発表] バックゲートとソース/ドレイン電圧印加による各量子ドットの電気化学ポテンシャル制御 (2012)
  • 著者名/発表者名: 蒲原知宏,小寺哲夫,小田俊理
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-14
• [学会発表] Charge sensing of a Si triple quantum dot system using single electron transistors (2012)
  • 著者名/発表者名: R.Mizokuchi,T.Kodera,K.Horibe,Y.Kawano and S.Oda
  • 学会等名: IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Honolulu(USA)
  • 年月日: 2012-06-11