シリカナノ粒子をマスクとした金属誘起エッチング法を用いて、直径30nmのSiナノワイヤー(Si NW)の作製に成功した。走査型顕微鏡像からは、シリカナノ粒子の直径とほぼ等しいSi NWが形成されていること、透過型電子顕微鏡像からは、形成後のSi NWがダイヤモンド構造を保っていることを確認した。次にSi NWのパッシベーション手法として原子層成長(ALD)法を提案、ALD-Al2O3をパッシベーション膜として用いることでキャリア寿命100μsec(アニール後)を実現した。最後に長さ7μmのSi NWを用いて太陽電池を作製、変換効率1.2%を達成し、当初の研究目的を達成した。
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