| 研究課題/領域番号 |
24656209
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
宮尾 正信 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 特任教授 (60315132)
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| 研究分担者 |
佐道 泰造 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 准教授 (20274491)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| キーワード | 電子デバイス・機器 / 集積回路 / 結晶成長 |
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| 研究概要 |
本研究では、電子・光・スピン機能を混載した多機能ハイブリッド集積回路の基盤技術の創出を目指し、申請者独自のSiGe 結晶成長技術を活用し、絶縁膜上におけるSi1-XGeX(0≦X≦1)単結晶の創成を行う。本年度は、２年計画の第１年度として、下記の研究を行った。
絶縁膜を介した多段テンプレートを実現するには、まず、初段のテンプレートとなるSi1-XGeX(0≦X≦1)層を絶縁膜上に形成する必要がある。そこで、溶融成長法を用いて、横方向にGe組成の異なるSiGe混晶を絶縁膜上にヘテロ成長する手法を検討した。電子顕微鏡法による詳細解析を行い、形成層は高い結晶性を有することを明らかにした。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
綿密な実験計画を立てて研究を推進しているので、おおむね順調に進展している。
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| 今後の研究の推進方策 |
現在までほぼ計画通りに進行しているので、特に研究計画の変更は考えていない。
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| 次年度の研究費の使用計画 |
該当なし。
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