2014 年度研究成果報告書

原子層シリサイド半導体を用いたドーピング制御

研究課題

研究課題/領域番号	24656220
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	独立行政法人産業技術総合研究所
研究代表者	内田紀行独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (60400636)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード	原子層シリサイド半導体 / キャリアドーピング / エピタキシャル成長
研究成果の概要	本研究課題では、Si表面上でタングステン内包Siクラスター（WSin）を単位構造とする原子層シリサイド半導体を形成し、WSinの性質を利用することで、Siナノエレクトロニクスの革新的な要素技術の開発を行った。そのために、WSin層の2次元的なキャリア輸送特性を評価し、WSin層が、わずか1nmの厚みで、6.5×1019 cm-3の電子密度と8.8cm2/Vsの移動度を持つ原子層シリサイド半導体材料であることを実証した。また、WSin膜の産業展開を目指し、熱CVD法による合成を実証した。
自由記述の分野	ナノエレクトロニクス材料