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2013 年度 研究成果報告書

気相中の触媒金属/Si界面で起こる新規エッチング現象

研究課題

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研究課題/領域番号 24656232
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分補助金
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関大阪大学

研究代表者

松村 道雄  大阪大学, 太陽エネルギー化学研究センター, 教授 (20107080)

研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2014-03-31
キーワード気相エッチング / 微細加工 / シリコン / 触媒
研究概要

金属を触媒としたSiの気相エッチング反応を確認するとともに、その原理を示した。反応は、フッ酸ガスを含む空気中において、触媒金属膜を堆積させたSi基板を100℃程度に加熱して行った。Auを触媒膜に用いた場合には、Si原子がAu層を透過して膜表面においてAuの触媒作用により酸化エッチングされて孔が形成される。Pdを触媒とした場合には、PdとSiが合金層を形成し、その表面でエッチングが進行する。この合金層の形成が等方的に起こるために、触媒のPdのサイズが小さい場合には、孔が広がる特徴がある。異種金属を組み合わせた触媒膜を用いると、触媒作用に違いにより円弧状の孔形成が起こることも見出した。

  • 研究成果

    (6件)

すべて 2014 2013 2012

すべて 学会発表 (5件) 産業財産権 (1件)

  • [学会発表] 「Making Through Holes in Si for 3D IC Packaging by Metal-Catalyzed Wet Etching : Progress and Challenges2014

    • 著者名/発表者名
      R. Kawaguchi, K. Tatsumi, T. Harada, S. Ikeda and M. Matsumura
    • 学会等名
      2014 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco
    • 年月日
      20140421-25
  • [学会発表] TSV Formation by Metal-Assisted Chemical Etching2014

    • 著者名/発表者名
      松村道雄
    • 学会等名
      第一回日仏三次元集積回路ワークショップ
    • 発表場所
      日仏会館
    • 年月日
      2014-06-09
  • [学会発表] Pd触媒を用いたSiの気相エッチングと貫通孔形成2013

    • 著者名/発表者名
      川口遼馬, 原田隆史, 池田茂, 松村道雄
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋期学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 年月日
      20130916-20
  • [学会発表] Making Fine Cu Wires in a Si Wafer Using Catalytic Reactions2013

    • 著者名/発表者名
      K. Tatsumi, S. Ikeda and M. Matsumura
    • 学会等名
      2013 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco
    • 年月日
      20130401-05
  • [学会発表] 金属触媒を用いたシリコンの新規気相エッチング法2012

    • 著者名/発表者名
      永田大地, 杉田智彦, 池田茂, 松村道雄
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • 年月日
      20120911-14
  • [産業財産権] 結晶基板に孔を形成する方法、並びに結晶基板に配線や配管を有する機能デバイス2012

    • 発明者名
      松村道雄, 永田大地, 釘宮公一
    • 権利者名
      大阪大学
    • 産業財産権種類
      特開
    • 産業財産権番号
      2014-45030
    • 出願年月日
      2012-08-24

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公開日: 2015-06-25  

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