本研究は,Ti基電極膜形成によってGaN基板との界面近傍に生じる基板のひずみが界面電気伝導度に及ぼす影響を調べ,その知見に立脚してひずみ制御により電気伝導度を向上することを目的として遂行された.GaN基板上にTiを成膜すると,電極直下のGaN基板には圧縮ひずみが生じる.圧縮ひずみが大きいほど電気伝導度は低下する.すなわち,GaN基板のひずみは電極/基板界面の電気伝導特性に影響する.電極直下のGaN基板のひずみを基板裏面へのTi成膜により相殺すると電気伝導度が向上する.以上の成果により,電極膜直下のGaN基板のひずみ状態制御がGaNとTi基電極界面の電気伝導度向上に有効であることが実証された.
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