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スパッタリング法によるCu2ZnSnS4薄膜の堆積においてホットウォール（高温の粒子反射壁）をターゲット-基板間に設置し，組成，構造，および物性の制御を試み，研究成果として以下を得た．
●Zn比の減少，およびそれにともなうS比の増加を抑え，同時に結晶子サイズを，ホットウォールを使用しない場合の数-10 nmに比べて16-26 nmへと向上した．この時にバンドギャップは1.6-1.7 eVとなり，ホットウォールの使用による改善が達成された．
●総括として，粒子反射壁の役割についての考察をおこない，粒子反射壁による組成，薄膜構造の改善結果などとともに成果を論文としてまとめた．
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