2013 年度研究成果報告書

触媒金属のクロライド化除去によるＣＶＤグラフェンの高移動度化

研究課題

研究課題/領域番号	24656456
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	補助金
研究分野	金属生産工学
研究機関	東京大学
研究代表者	長汐晃輔東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20373441)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2014-03-31
キーワード	グラフェン / CVD / 単結晶 / 高移動度
研究概要	グラフェン合成方法で，CVD法は高品質かつ大面積成長の観点から最も有望である．本研究では，単結晶Al2O3やMgOを代わる基板としてFujiiらが報告している単結晶マイカ(001)を選択しグラフェンの触媒の単結晶Cu膜を堆積した．マイカ上に堆積した800 nm厚さのCu膜は(111)配向した単結晶であり，表面粗さ0.5nmと比較的フラットな面を達成している．成長時の導入ガス量を制御することで，高品質かつ大面積グラフェンの合成に成功した．移動度として4500cm2/Vs程度の値を得ている．