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位置敏感型検出器開発技術に関しては、放射線検出の位置分解能を決定する検出器上の抵抗回路網の最適化についての研究開発を行った。昨年度までの研究でテルル化カドミウム（CdTe）ウエハ上に金ナノ粒子インクで電極膜形成した検出器で良好なエネルギー分解能を得られることが示されたが、この手法により作製されたピクセル電極またはパッド電極を抵抗回路網に接続することで位置敏感型検出器が作製される。本研究開発ではインクジェット装置を用いて金属成分を含有するインクでウエハ上に描画することによって抵抗回路を形成した。金属インクは熱処理によって焼結されるがその抵抗率は一般に温度に依存する。良好な位置分解能は適切な回路抵抗値によって達成される。本研究では熱処理温度を調整することによってこの抵抗値を調整することを試みた。検討の結果、広い範囲で抵抗値を制御が可能であることが分かった。また、その温度領域は本研究で検出器材料として利用しているCdTe結晶の性能に影響を及ぼさないことも確認された。
また、将来の分子イメージング装置用の半導体検出器として注目しているGaAs検出器の高エネルギー分解能化への検討として、新規の整流性電極として金－パラジウム合金の応用性を調査した。半絶縁性GaAsウエハ上に形成された合金電極に対して電圧－電流特性を測定したところチタン/白金/金積層電極などの従来型よりも良好な整流性を示すことが明らかになった。この手法で形成されたピクセル電極に前述の抵抗回路網技術を適用することで高性能の位置敏感型半導体検出器が作成可能であると考えられる。
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