| 研究課題/領域番号 |
24681026
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
肥後 昭男 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 助教 (60451895)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | LED / 光デバイス |
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| 研究実績の概要 |
本年度は、昨年度の研究の進展から、光半導体素子作製の上で重要なエッチング技術の確立をおこなった。プラズマエッチングでは半導体素子の光利得材料にダメージが入るため光素子を作製することが困難であった。そこで、中性粒子ビームエッチングを導入することで、光利得材料を低損傷のエッチングダメージで作製することが可能になった。InGaAsのエッチングおよびそのフォトルミネッセンス特性を測定することで、InGaAs層にエッチングによる明瞭なダメージが入っていないことを確認した。さらに、透過型電子顕微鏡による評価等もおこない、目でみえるような欠陥はエッチング界面において生じていないことを確認した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
シリコン上III-V族半導体素子を作製する上で重要となる光利得材料をプラズマエッチングすることでダメージが入り、光利得を十分に得ることができない。その解決策として中性粒子ビームエッチングを用いることで光利得材料へのプラズマダメージを低減することを試みている。
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| 今後の研究の推進方策 |
今年度得られたプラズマダメージの知見と中性粒子ビームエッチングを用いることで低損傷エッチングができることが明らかになりつつあるため、今後も光デバイスを作製し評価していく。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
研究遂行に若干の遅れががあり、その結果購入すべき物品が変更になったため。
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| 次年度使用額の使用計画 |
研究を遂行するにあたり、生じた部品等を購入することにより適切に実行していく。
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