2015 年度研究成果報告書

環境分析のためのシリコン上ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｓ発光素子の開発

研究課題

研究課題/領域番号	24681026
研究種目	若手研究(A)
配分区分	一部基金
研究分野	マイクロ・ナノデバイス
研究機関	東北大学
研究代表者	肥後昭男東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 助教 (60451895)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2016-03-31
キーワード	MOVPE / InGaAs
研究成果の概要	シリコン基板上にIII-V族半導体をモノリシック集積するための基盤技術の確立と長波長光源のための基礎的発光特性について研究をおこなった．実際に作製をしたシリコン上InGaAs光源からはフォトルミネッセンス測定において1600nm帯の発光に成功した．環境分析において長波長光源を用いたガスセンサなどに応用が期待されており、その光源をシリコン上に作製することで将来的にシリコンデバイスとの高度集積素子が可能になる．
自由記述の分野	Optical MEMS