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スピン軌道相互作用の強いInGaAs半導体量子井戸を用いて、量子ポイントコンタクトと呼ばれる1次元チャネル構造を作製し、スピン偏極電流の生成を試みた。サイドゲートによる横方向閉じ込め効果を用いることで、電子に対し1次元的な閉じ込め効果に加え有効磁場の空間変調を与えることが可能となる。これにより、電子スピンに対しスピン依存力が加わり上向きスピンと下向きスピンを空間的に分離することが可能となることを実験及び理論により示した。伝導度0.5(2e^2/h)にプラトーが観測され、また外部磁場との競合によりスピン偏極方向およびショットノイズ測定からスピン偏極率を明らかにした。
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