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本研究では希土類棚化物ReB6(Re: Ce, Sm)の薄膜作製を分子線エピタキシー法を用いて行った．CeB6ではc軸配向膜を得られた．また薄膜試料においても近藤効果による電気抵抗率の極大と反強四重極秩序を観測できた．SmB6ではc軸方向に加えて部分的に面内配向性も持った薄膜を得られた．電気抵抗率の温度依存性において高温では絶縁体的に振る舞い，極低温で一定値に近づく振る舞いを観測できた．これはバルク単結晶の振る舞いを定性的に再現する．また，バンド絶縁体であるSrB6とSmB6が交互に積層した人工超格子の作製に成功した．
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