| 研究成果の概要 |
軽元素によって形成される共有結合性ネットワークに着目した新物質開発において、SrPt2Sb2 (Tc=2.1K), Ln2SnC (Tc=5.2K), YRe4Si2 (Tc=3.2K), LuRe4Si2 (Tc=3K), Ba(Cu,Si)2 (Tc=3K)を発見し、超伝導発現に重要な役割を果たしている電子状態や構造的特徴を明らかにした。共有結合性ワイドバンドギャップ半導体に着目した研究において、キャリアドープされたAlN超伝導は、組成比のずれによってキャリアドープされて超伝導が発現している可能性を明らかにした。
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